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TVS diode, 600 W, 8 V, 8.89 V

  • max. Durchbruchspannung: 9.83 V
  • min. ambient temp.: -55 °C
  • max. ambient temp.: 185 °C
 
Order No. 26 S 124
Manufacturer No. PTVS8V0P1UTP,115
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AEC-Q101 qualifiziert, Ausführung: unidirektional, Bauform: SMD, Impuls-Spitzenverlustleistung: 600 W, Nennspannung: 8,0 V, Durchbruchsspannung (min.): 8,89 V, Durchbruchsspannung (max.): 9,83 V, Umgebungstemperatur (min.): -55 °C, Umgebungstemperatur (max.): 185 °C, Gehäuse: SOD128, Typ: PTVS8V0P1UTP,115, Hersteller: NXP
Impuls-Verlustleistung 600 W
Nenn-Sperrspannung 8 V
min. Durchbruchspannung 8.89 V
max. Durchbruchspannung 9.83 V
min. ambient temp. -55 °C
max. ambient temp. 185 °C
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