max. Spannung
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Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
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Hersteller: Diodes   Herstellerserie: ZXMN  
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max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
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max. Temperatur
Diodes N-Kanal MOSFET, 30 V, 2 A, TO-236, ZXMN3A01FTA
Bestellnr.:
 33S2861
Hersteller:
 Diodes
Hersteller-Nr.:
 ZXMN3A01FTA
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30 V
2 A
120 mΩ
TO-236
N-Kanal
SMD
-55 °C
150 °C