ZXMN10A07FTA | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 700 mA, TO-236, ZXMN10A07FTA
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MOSFET, ZXMN10A07FTA, Diodes
Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(on)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.
Features
- Niedriger Ein-Widerstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Niedrige Schwelle
- Niedrige Gate-Ansteuerung
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 700 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.9x10<sup>-9</sup> C | |
| Gehäuse | TO-236 | |
| max. Spannung | 100 V | |
| max. Strom | 700 mA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Verlustleistung W (DC) | 809 mW |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
