ZXMN3A01FTA | Diodes

Name: Diodes N-Kanal MOSFET, 30 V, 2 A, TO-236, ZXMN3A01FTA
Brand: Diodes
SKU: 33S2861
Availability: OutOfStock

Diodes N-Kanal MOSFET, 30 V, 2 A, TO-236, ZXMN3A01FTA

Bestellnr.: 33S2861

EAN: 4099879034564

HTN:

ZXMN3A01FTA

Herstellerserien: ZXMN

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 30 V

max. Strom 2 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 120 mΩ

Download Datenblatt Technische Daten

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Produktbeschreibung

MOSFET, ZXMN3A01FTA, Diodes

Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.

Features

Niedriger On-Widerstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Niedriger Schwellenwert
Niedriger Gate-Antrieb

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	120 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	3.9x10<sup>-9</sup> C
	Gehäuse	TO-236
	max. Spannung	30 V
	max. Strom	2 A
	max. Temperatur	150 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD