ZXMN3F30FHTA | Diodes

Diodes N-Kanal MOSFET, 30 V, 4.6 A, TO-236, ZXMN3F30FHTA

Bestellnr.: 33S2873
EAN: 4099879034571
HTN:
ZXMN3F30FHTA
Herstellerserien: ZXMN
Diodes
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MOSFET, ZXMN3F30FHTA, Diodes

Dieser MOSFET der neuen Generation zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus, der mit einer Gate-Ansteuerung von 4,5 V erreicht wird.

Features

  • Niedriger On-Widerstand
  • 4,5 V Gate-Treiberfähigkeit
Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 47 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC) 7.7x10<sup>-9</sup> C
Gehäuse TO-236
max. Spannung 30 V
max. Strom 4.6 A
max. Temperatur 150 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage SMD
Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja