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MOSFETs

Ausführung
max. Spannung
Einheit:
max. Strom
Einheit:
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einheit:
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Einheit:
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Einheit:
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
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Hersteller: Infineon Technologies  
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104 Artikel in 110 Varianten
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
Infineon Technologies N-Kanal DirectFET Power MOSFET, 40 V, 375 A, DirectFET-L8, IRL7472L1TRPBF
Hersteller-Nr.:
 IRL7472L1TRPBF
4000 Stk. 2,5228 €
2,5228 €
0 Stk.
2,52 € *
N-Kanal
40 V
375 A
0.45 mΩ
DirectFET-L8
341 W
SMD
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 40 V, 362 A, D2PAK-7L, IRFS7434TRL7PP
Hersteller-Nr.:
 IRFS7434TRL7PP
0 Stk. 0,00 €
0,00 €
0 Stk.
0,00 € *
N-Kanal
40 V
362 A
1 mΩ
D2PAK-7L
245 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power MOSFET, 30 V, 100 A, PG-TDSON-8, BSC016N03LSGATMA1
Hersteller-Nr.:
 BSC016N03LSGATMA1
5000 Stk. 0,9282 €
0,9282 €
0 Stk.
0,93 € *
N-Kanal
30 V
100 A
1.6 mΩ
PG-TDSON-8
125 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 40 V, 195 A, D2PAK, IRFS7437TRLPBF
Hersteller-Nr.:
 IRFS7437TRLPBF
800 Stk. 1,4042 €
1,4042 €
0 Stk.
1,40 € *
N-Kanal
40 V
195 A
1.8 mΩ
D2PAK
230 W
SMD
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 40 V, 30 A, PG-TDSON-8, BSC018N04LSGATMA1
Hersteller-Nr.:
 BSC018N04LSGATMA1
5000 Stk. 0,833 €
0,833 €
0 Stk.
0,83 € *
N-Kanal
40 V
30 A
1.8 mΩ
PG-TDSON-8
125 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS5 Power Transistor, 100 V, 300 A, HSOF, IPT015N10N5ATMA1
Hersteller-Nr.:
 IPT015N10N5ATMA1
2000 Stk. 4,8433 €
4,8433 €
0 Stk.
4,84 € *
N-Kanal
100 V
300 A
2 mΩ
HSOF
375 W
SMD
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, DPAK, IPD100N04S4-02
Hersteller-Nr.:
 IPD100N04S4-02
0 Stk. 0,00 €
0,00 €
0 Stk.
0,00 € *
N-Kanal
2 mΩ
DPAK
SMD
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 24 V, 195 A, TO-220, IRF1324PBF
Hersteller-Nr.:
 IRF1324PBF
50 Stk. 2,5466 €
2,5466 €
0 Stk.
2,55 € *
N-Kanal
24 V
195 A
2 mΩ
TO-220
300 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, 40 V, 120 A, PG-TO262-3, IPI120N04S402AKSA1
Hersteller-Nr.:
 IPI120N04S402AKSA1
500 Stk. 1,8088 €
1,8088 €
0 Stk.
1,81 € *
N-Kanal
40 V
120 A
2.1 mΩ
PG-TO262-3
158 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 40 V, 75 A, TO-220, IRF2804PBF
Hersteller-Nr.:
 IRF2804PBF
1 Stk. 2,0944 €
100 Stk. 1,8683 €
1000 Stk. 1,2376 €
2,0944 € - 1,2376 €
64 Stk.
460 Stk.
2,09 € *
N-Kanal
40 V
75 A
2.3 mΩ
TO-220
300 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 60 V, 120 A, PG-TO262-3, IPI024N06N3GXKSA1
Hersteller-Nr.:
 IPI024N06N3GXKSA1
50 Stk. 2,856 €
2,856 €
0 Stk.
2,86 € *
N-Kanal
60 V
120 A
2.4 mΩ
PG-TO262-3
250 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST Power Transistor, 30 V, 80 A, PG-TO220-3, IPP80N03S4L03AKSA1
Hersteller-Nr.:
 IPP80N03S4L03AKSA1
500 Stk. 1,666 €
1,666 €
0 Stk.
1,67 € *
N-Kanal
30 V
80 A
3.2 mΩ
2.4 mΩ
PG-TO220-3
136 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power MOSFET, 30 V, 23 A, PG-TDSON-8, BSC030N03LSGATMA1
Hersteller-Nr.:
 BSC030N03LSGATMA1
5000 Stk. 0,5355 €
0,5355 €
0 Stk.
0,54 € *
N-Kanal
30 V
23 A
3 mΩ
PG-TDSON-8
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 60 V, 120 A, TO-220, IRFB3206PBF
Hersteller-Nr.:
 IRFB3206PBF
1 Stk. 2,2253 €
100 Stk. 1,7493 €
200 Stk. 1,6779 €
800 Stk. 1,5351 €
2,2253 € - 1,5351 €
282 Stk.
90 Stk.
2,23 € *
N-Kanal
60 V
120 A
3 mΩ
TO-220
300 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, 30 V, 120 A, PG-TO263-3, IPB120N03S4L03ATMA1
Hersteller-Nr.:
 IPB120N03S4L03ATMA1
3 Stk. 1,7850 €
15 Stk. 1,5946 €
75 Stk. 1,4280 €
400 Stk. 1,2971 €
1000 Stk. 1,1900 €
1,7850 € - 1,1900 €
0 Stk.
1,79 € *
N-Kanal
30 V
120 A
3 mΩ
PG-TO263-3
79 W
SMD
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 30 V, 27 A, PQFN, IRFH8318TRPBF
Hersteller-Nr.:
 IRFH8318TRPBF
10 Stk. 0,6545 €
50 Stk. 0,5593 €
250 Stk. 0,4879 €
1000 Stk. 0,4403 €
2000 Stk. 0,3927 €
0,6545 € - 0,3927 €
3.840 Stk.
6,55 € *
N-Kanal
30 V
27 A
4.6 mΩ
3.1 mΩ
PQFN
3.6 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 120 A, TO-220, IRFB3077PBF
Hersteller-Nr.:
 IRFB3077PBF
10 Stk. 3,0107 €
100 Stk. 2,6418 €
250 Stk. 2,5466 €
1000 Stk. 2,3681 €
3,0107 € - 2,3681 €
0 Stk.
990 Stk.
3,01 € *
N-Kanal
75 V
120 A
3.3 mΩ
TO-220
370 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, 30 V, 80 A, PG-TO263-3, IPB80N03S4L03ATMA1
Hersteller-Nr.:
 IPB80N03S4L03ATMA1
7000 Stk. 0,9282 €
0,9282 €
0 Stk.
0,93 € *
N-Kanal
30 V
80 A
3.4 mΩ
PG-TO263-3
94 W
SMD
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, 40 V, 80 A, PG-TO262-3, IPI80N04S404AKSA1
Hersteller-Nr.:
 IPI80N04S404AKSA1
500 Stk. 1,3447 €
1,3447 €
0 Stk.
1,34 € *
N-Kanal
40 V
80 A
4.2 mΩ
PG-TO262-3
71 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 60 V, 120 A, TO-220, IRFB3306PBF
Hersteller-Nr.:
 IRFB3306PBF
10 Stk. 1,3685 €
50 Stk. 1,2138 €
1,3685 € - 1,2138 €
0 Stk.
980 Stk.
1,37 € *
N-Kanal
60 V
120 A
4.2 mΩ
TO-220
230 W
THT
-55 °C
175 °C
1
2
3
4
... 6
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
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