IPT015N10N5ATMA1 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS5 Power Transistor, 100 V, 300 A, HSOF, IPT015N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 53S1006
Price: 4.84 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS5 Power Transistor, 100 V, 300 A, HSOF, IPT015N10N5ATMA1

Bestellnr.: 53S1006

EAN: 4099879034670

HTN:

IPT015N10N5ATMA1

SP001227040

Herstellerserien: IPT

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 100 V

max. Strom 300 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 2 mΩ

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Produktbeschreibung

MOSFETs, IPT015N10N5ATMA1, Infineon Technologies

Der IPT015N10N5ATMA1 ist ein Leistungs-MOSFET, der für Hochstromanwendungen bis zu 300 A wie Gabelstapler oder Elektrofahrzeuge optimiert ist.

Features

Ideal für Hochfrequenzschaltungen
Ausgezeichnete Torgebühr
Sehr niedriger On-Widerstand
N-Kanal, Normalespegel

Anwendungen

Telekom
Server
Solar
Niedrige Spannungsantriebe
Niederspannungsfahrzeuge
Adapter

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	2 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	1.69x10<sup>-7</sup> C
	Gehäuse	HSOF
	max. Spannung	100 V
	max. Strom	300 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD
	Verlustleistung W (DC)	375 W