IRFB3077PBF | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 120 A, TO-220, IRFB3077PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 31S3220
Price: 3.01 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 120 A, TO-220, IRFB3077PBF

Bestellnr.: 31S3220

EAN: 4099879034069

HTN:

IRFB3077PBF

SP001575594

Herstellerserien: NFET_IRFXXX

Abbildung kann abweichen

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 75 V

max. Strom 120 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 3.3 mΩ

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Produktbeschreibung

MOSFETs, IRFB3077PBF, Infineon Technologies

Features

Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden

Anwendungen

Hohe Effizienz Synchrone Gleichrichtung in SMPS
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	3.3 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	1.6x10<sup>-7</sup> C
	Gehäuse	TO-220
	max. Spannung	75 V
	max. Strom	120 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	THT
	Verlustleistung W (DC)	370 W