IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, 30 V, 80 A, PG-TO263-3, IPB80N03S4L03ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 88S9102
Price: 0.93 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, 30 V, 80 A, PG-TO263-3, IPB80N03S4L03ATMA1

Bestellnr.: 88S9102

EAN: 4099879035264

HTN:

IPB80N03S4L03ATMA1

SP000274982

Herstellerserien: IPB

Abbildung kann abweichen

Drucken

Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 30 V

max. Strom 80 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 3.4 mΩ

Bestellinformationen:

NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar

Download Datenblatt Technische Daten

Einzelpreis (€ / Stk.)

0,9282 € *

Lagerbestand: 0 Stk.

Lieferzeit ab Hersteller: Auf Anfrage **

In den Warenkorb

Gesamtpreis:

0,93 € *

*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

**Zwischenverkauf vorbehalten

Produktbeschreibung

MOSFETs, IPB80N03S4L03ATMA1, Infineon Technologies

Features

N-Kanal
Erweiterungsmodus
MSL1 bis zu 260°C Spitzenwert beim Reflow
Lawine bewertet

Anwendungen

EPS-Motorsteuerung
Drehstrom- und H-Brückenmotoren
HVAC-Lüftersteuerung
Elektrische Pumpen

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	3.4 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	6x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	PG-TO263-3
	max. Spannung	30 V
	max. Strom	80 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD
	Verlustleistung W (DC)	94 W