IPP80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST Power Transistor, 30 V, 80 A, PG-TO220-3, IPP80N03S4L03AKSA1
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Leistungstransistor, IPP80N03S4L03AKSA1, Infineon
OptiMOS Power-Transistor, ideal für hochfrequentes Schalten und Synchronisieren mit sehr niedrigem On-Widerstand und 100% Avalanche getestet.
Features
- Ausgezeichnete Gate-Ladung
- Halogenfrei
- Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
- Ideal für hochfrequentes Schalten
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2.4 mΩ | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 3.2 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.1x10<sup>-7</sup> C | |
| Gehäuse | PG-TO220-3 | |
| max. Spannung | 30 V | |
| max. Strom | 80 A | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Verlustleistung W (DC) | 136 W |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
