IRFB3306PBF | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 60 V, 120 A, TO-220, IRFB3306PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 31S3223
Price: 1.37 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 60 V, 120 A, TO-220, IRFB3306PBF

Bestellnr.: 31S3223

EAN: 4099879034083

HTN:

IRFB3306PBF

SP001556002

Herstellerserien: IRFB

Abbildung kann abweichen

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 60 V

max. Strom 120 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 4.2 mΩ

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Produktbeschreibung

MOSFETs, IRFB3306PBF, Infineon Technologies

Features

Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden

Anwendungen

Hohe Effizienz Synchrone Gleichrichtung in SMPS
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	4.2 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	8.5x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	TO-220
	max. Spannung	60 V
	max. Strom	120 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	THT
	Verlustleistung W (DC)	230 W