Gehäuse
Ausführung
Montage
max. Spannung
max. Strom
max. Temperatur
min. Temperatur
Verlustleistung VA (AC)
Sättigungsspannung
Anwendung
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Anzahl der Kanäle
Nennstrom
Kollektorstrom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Durchlassspannung
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Hersteller: Infineon Technologies  
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Gehäuse
Ausführung
Montage
max. Spannung
max. Strom
max. Temperatur
min. Temperatur
Verlustleistung VA (AC)
Sättigungsspannung
Anwendung
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Anzahl der Kanäle
Nennstrom
Kollektorstrom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Durchlassspannung
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 57 A, TO-220, IRF3710PBF
Bestellnr.:
 31S3090
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF3710PBF
Sofort verfügbar: 35 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 1.160 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche ** Nächste Lieferung: 20 Stk. bestätigt für 21.05.2024
Gesamtpreis: 1,27 € *
1 Stk.
1,2733 €
100 Stk.
1,1305 €
TO-220
N-Kanal
THT
100 V
57 A
175 °C
-55 °C
23 mΩ
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 47 A, TO-220, IRLZ44NPBF
Bestellnr.:
 24S3373
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRLZ44NPBF
Sofort verfügbar: 700 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 3.570 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 1,25 € *
1 Stk.
1,2495 €
10 Stk.
0,9044 €
100 Stk.
0,7735 €
500 Stk.
0,6664 €
1000 Stk.
0,6188 €
TO-220
N-Kanal
THT
55 V
47 A
175 °C
-55 °C
22 mΩ
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 60 V, 120 A, TO-220, IRFB3206PBF
Bestellnr.:
 31S3221
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFB3206PBF
Sofort verfügbar: 282 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 90 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 2,23 € *
1 Stk.
2,2253 €
100 Stk.
1,7493 €
200 Stk.
1,6779 €
800 Stk.
1,5351 €
TO-220
N-Kanal
THT
60 V
120 A
175 °C
-55 °C
3 mΩ