Infineon Technologies

IRFB4310PBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 130 A, TO-220, IRFB4310PBF

Bestellnr.:  31S3231
HTN:
IRFB4310PBF
SP001566592
Herstellerserien:  IRFB
EAN: 4099879034137
Infineon Technologies
default L
default S
Abbildungen können abweichen
Einzelpreis (€ / Stk.)
2,3205 € *
Lagerbestand: 0 Stk.
Lieferzeit ab Hersteller: 12 Wochen **
In den Warenkorb
Gesamtpreis:
2,32 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
500 Stk.
2,3205 €
Produktbeschreibung

MOSFETs, IRFB4310PBF, Infineon Technologies

Features

  • Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
  • Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
  • Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden

Anwendungen

  • Hohe Effizienz Synchrone Gleichrichtung in SMPS
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
  • Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
  • Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 7 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.7x10<sup>-7</sup> C
Gehäuse TO-220
max. Spannung 100 V
max. Strom 130 A
max. Temperatur 175 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage THT
Verlustleistung W (DC) 300 W
Ähnliche Produkte anzeigen (0)
Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Stange mit 100 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja