IRF3205PBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 110 A, TO-220, IRF3205PBF

Bestellnr.: 24S3243
EAN: 4099879033192
HTN:
IRF3205PBF
Herstellerserien: IRF
Infineon Technologies
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MOSFETs, IRF3205PBF, Infineon Technologies

Der IRF3205PBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Der geringe Wärmewiderstand des TO-220 trägt zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.

Features

  • Fortschrittliche Prozesstechnologie
  • Extrem niedriger Einschaltwiderstand
  • Dynamischer dv/dt-Wert
  • Schnelles Umschalten
  • Lawine bewertet
Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 8 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.46x10<sup>-7</sup> C
Gehäuse TO-220
max. Spannung 55 V
max. Strom 110 A
max. Temperatur 175 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage THT
Verlustleistung W (DC) 200 W
Logistik
Ursprungsland MX
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Stange mit 50 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja
Varianten
Montage
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Ausführung
max. Spannung
max. Strom
min. Temperatur
max. Temperatur
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
1 Artikel in 2 Varianten
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Montage
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Ausführung
max. Spannung
max. Strom
min. Temperatur
max. Temperatur
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 110 A, TO-220, IRF3205PBF
Bestellnr.:
 24S3243
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF3205PBF
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TO-220
200 W
N-Kanal
55 V
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