max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Verlustleistung W (DC)
min. Temperatur
max. Temperatur
Ausführung
Montage
Gehäuse
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Hersteller: Infineon Technologies   Herstellerserie: NFET_IRFXXX  
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Verlustleistung W (DC)
min. Temperatur
max. Temperatur
Ausführung
Montage
Gehäuse
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 57 A, TO-220, IRF3710PBF
Bestellnr.:
 31S3090
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF3710PBF
Sofort verfügbar: 35 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 1.160 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche ** Nächste Lieferung: 20 Stk. bestätigt für 21.05.2024
Gesamtpreis: 1,27 € *
1 Stk.
1,2733 €
100 Stk.
1,1305 €
100 V
57 A
23 mΩ
200 W
-55 °C
175 °C
N-Kanal
THT
TO-220
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 80 A, TO-220, IRFB3607PBF
Bestellnr.:
 31S3225
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFB3607PBF
Sofort verfügbar: 110 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 4.380 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 11,90 € *
10 Stk.
1,1900 €
50 Stk.
1,0353 €
656 Stk.
0,8330 €
1312 Stk.
0,7854 €
2624 Stk.
0,7140 €
75 V
80 A
9 mΩ
140 W
-55 °C
175 °C
N-Kanal
THT
TO-220
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 120 A, TO-220, IRFB3077PBF
Bestellnr.:
 31S3220
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFB3077PBF
Lagerbestand: 0 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 990 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 3,01 € *
10 Stk.
3,0107 €
100 Stk.
2,6418 €
250 Stk.
2,5466 €
1000 Stk.
2,3681 €
75 V
120 A
3.3 mΩ
370 W
-55 °C
175 °C
N-Kanal
THT
TO-220