IRFB3607PBF | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 80 A, TO-220, IRFB3607PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 31S3225
Price: 1.19 EUR
Availability: InStock

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 80 A, TO-220, IRFB3607PBF

Bestellnr.: 31S3225

EAN: 4099879034090

HTN:

IRFB3607PBF

SP001551746

Herstellerserien: NFET_IRFXXX

Abbildung kann abweichen

Drucken

Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 75 V

max. Strom 80 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 9 mΩ

Download Datenblatt Technische Daten

Einzelpreis (€ / Stk.)

1,1900 € *

Sofort verfügbar: 110 Stk.

Verfügbar in 5 Tagen: 4.380 Stk.

Lieferzeit ab Hersteller: 1 Woche **

Gesamtpreis:

11,90 € *

Preisstaffel

Anzahl

Preis pro Einheit*

10 Stk.

1,1900 €

50 Stk.

1,0353 €

656 Stk.

0,8330 €

1312 Stk.

0,7854 €

2624 Stk.

0,7140 €

*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

**Zwischenverkauf vorbehalten

Produktbeschreibung

MOSFETs, IRFB3607PBF, Infineon Technologies

Features

Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden

Anwendungen

Hohe Effizienz Synchrone Gleichrichtung in SMPS
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	9 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	5.6x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	TO-220
	max. Spannung	75 V
	max. Strom	80 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	THT
	Verlustleistung W (DC)	140 W