IRF3808PBF | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 140 A, TO-220, IRF3808PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 31S3104
Price: 1.73 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 140 A, TO-220, IRF3808PBF

Bestellnr.: 31S3104

EAN: 4099879034021

HTN:

IRF3808PBF

SP001563250

Herstellerserien: NFET_IRFXXX

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 75 V

max. Strom 140 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 7 mΩ

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Produktbeschreibung

MOSFETs, IRF3808PBF, Infineon Technologies

Der IRF3808PBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken nutzt, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Das Design ist extrem effizient und zuverlässig und kann in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden.

Features

Fortschrittliche Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
Dynamischer dv/dt-Wert
Schnelles Umschalten
Lawine bewertet

Anwendungen

Industrieller Motorantrieb

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	7 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	1.5x10<sup>-7</sup> C
	Gehäuse	TO-220
	max. Spannung	75 V
	max. Strom	140 A
	max. Temperatur	150 °C
	min. Temperatur	-40 °C
	Montage	THT
	Verlustleistung W (DC)	330 W