PBSS301PD,115 | NEXPERIA
Bipolartransistor, PNP, -4 A, -20 V, SMD, SOT-457, PBSS301PD,115
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PNP-Transistor, PBSS301PD,115, NEXPERIA
PNP-Transistor mit niedriger VCEsat, bahnbrechend im Kleinsignalbereich (BISS), in einem oberflächenmontierten Kunststoffgehäuse SOT457 (SC-74).
Features
- Sehr niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungswiderstand
- Extrem niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Effizienz durch geringere Wärmeentwicklung
Anwendungen
- Funktionen zur Energieverwaltung
- Ladestromkreise
- Leistungsschalter
- Dünnfilmtransistor (TFT)-Hintergrundbeleuchtungsinverter
Technische Daten
| Ausführung | PNP | |
| Transitfrequenz fTmin | 80 MHz | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Min Gleichstromverstärkung | 250 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -20 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.36 W | |
| Kollektorstrom | -4 A | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | -280 mV | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -20 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Gehäuse | SOT-457 |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| SVHC frei | Ja |