PBSS4160T,215 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN, 900 mA, 60 V, SMD, SOT-23, PBSS4160T,215
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NPN-Transistor, PBSS4160T,215, NEXPERIA
NPN-Transistor mit niedriger VCEsat in einem SOT23-Kunststoffgehäuse.
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Kollektorstromfähigkeit
- Hoher Wirkungsgrad, geringere Wärmeentwicklung
- Reduziert die benötigte Fläche der Leiterplatte
Anwendungen
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Industriell
- Automotive 42 V Leistung
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 80 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 60 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Nennstrom | 1 A | |
| Sättigungsspannung | 110 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 220 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.27 W | |
| Kollektorstrom | 900 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 250 mA |
Download
Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| SVHC frei | Ja |
