PBSS301PD,115 | NEXPERIA
Bipolartransistor, PNP, -4 A, -20 V, SMD, SOT-457, PBSS301PD,115
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PNP-Transistor, PBSS301PD,115, NEXPERIA
PNP-Transistor mit niedriger VCEsat, bahnbrechend im Kleinsignalbereich (BISS), in einem oberflächenmontierten Kunststoffgehäuse SOT457 (SC-74).
Features
- Sehr niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungswiderstand
- Extrem niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Effizienz durch geringere Wärmeentwicklung
Anwendungen
- Funktionen zur Energieverwaltung
- Ladestromkreise
- Leistungsschalter
- Dünnfilmtransistor (TFT)-Hintergrundbeleuchtungsinverter
Technische Daten
Ausführung | PNP | |
Gehäuse | SOT-457 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -20 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -20 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | SMD | |
Sättigungsspannung | -280 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 80 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.36 W | |
Kollektorstrom | -4 A | |
Min Gleichstromverstärkung | 250 mA |
Download
Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
SVHC frei | Ja |