DI7A6N04SQ2-AQ | Diotec Semiconductor
Diotec Semiconductor N/N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert MOSFET, 40 V, 7.6 A, SO-8, DI7A6N04SQ2-AQ
Bestellnr.: 10S9368
HTN:
DI7A6N04SQ2-AQ
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N-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET, DI7A6N04SQ2-AQ, Diotec Semiconductor
Features
- Sehr niedrige Sperrschicht-Kapazität
- Standard Level Gate-Ansteuerung
- Niedrige Gate-Ladung
- Miniatur-Gehäusebauform
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Synchron-Gleichrichter
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N/N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert | |
| max. Spannung | 40 V | |
| max. Strom | 7.6 A | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 28 mΩ | |
| Gehäuse | SO-8 | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.8x10<sup>-8</sup> C | |
| Verlustleistung W (DC) | 3.1 W | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |