Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
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Artikelbeschreibung
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Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
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max. Temperatur
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 60 V, 120 A, TO-220, IRFB3206PBF
Bestellnr.:
 31S3221
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFB3206PBF
Sofort verfügbar: 282 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 100 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 2,23 € *
1 Stk.
2,2253 €
100 Stk.
1,7493 €
200 Stk.
1,6779 €
800 Stk.
1,5351 €
N-Kanal
60 V
120 A
3 mΩ
TO-220
300 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 30 V, 27 A, PQFN, IRFH8318TRPBF
Bestellnr.:
 31S3256
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFH8318TRPBF
Sofort verfügbar: 3.840 Stk. Ab Hersteller: 12 Wochen **
Gesamtpreis: 6,55 € *
10 Stk.
0,6545 €
50 Stk.
0,5593 €
250 Stk.
0,4879 €
1000 Stk.
0,4403 €
2000 Stk.
0,3927 €
N-Kanal
30 V
27 A
4.6 mΩ
3.1 mΩ
PQFN
3.6 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 120 A, TO-220, IRFB3077PBF
Bestellnr.:
 31S3220
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFB3077PBF
Lagerbestand: 0 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 990 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 3,01 € *
10 Stk.
3,0107 €
100 Stk.
2,6418 €
250 Stk.
2,5466 €
1000 Stk.
2,3681 €
N-Kanal
75 V
120 A
3.3 mΩ
TO-220
370 W
THT
-55 °C
175 °C