Gehäuse
Ausführung
Montage
max. Spannung
max. Strom
max. Temperatur
min. Temperatur
Verlustleistung VA (AC)
Sättigungsspannung
Anwendung
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Anzahl der Kanäle
Nennstrom
Kollektorstrom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Durchlassspannung
Ausgewählte Filter:
Hersteller: Infineon Technologies  
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Gehäuse
Ausführung
Montage
max. Spannung
max. Strom
max. Temperatur
min. Temperatur
Verlustleistung VA (AC)
Sättigungsspannung
Anwendung
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Anzahl der Kanäle
Nennstrom
Kollektorstrom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Durchlassspannung
Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W TO-247-3 Tube IGW40T120FKSA1
Bestellnr.:
 24S3002
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IGW40T120FKSA1
Sofort verfügbar: 717 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 7,66 € *
1 Stk.
7,6636 €
30 Stk.
6,7473 €
120 Stk.
6,3784 €
270 Stk.
6,1523 €
1020 Stk.
5,8072 €
TO-247
einfach
THT
1200 V
40 A
150 °C
-40 °C
270 W
2.3 V
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 47 A, TO-220, IRLZ44NPBF
Bestellnr.:
 24S3373
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRLZ44NPBF
Sofort verfügbar: 700 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 3.570 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 1,25 € *
1 Stk.
1,2495 €
10 Stk.
0,9044 €
100 Stk.
0,7735 €
500 Stk.
0,6664 €
1000 Stk.
0,6188 €
TO-220
N-Kanal
THT
55 V
47 A
175 °C
-55 °C
22 mΩ