Gehäuse
Ausführung
Montage
max. Spannung
max. Strom
max. Temperatur
min. Temperatur
Verlustleistung VA (AC)
Sättigungsspannung
Anwendung
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Anzahl der Kanäle
Nennstrom
Kollektorstrom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Durchlassspannung
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Hersteller: Infineon Technologies  
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Gehäuse
Ausführung
Montage
max. Spannung
max. Strom
max. Temperatur
min. Temperatur
Verlustleistung VA (AC)
Sättigungsspannung
Anwendung
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Anzahl der Kanäle
Nennstrom
Kollektorstrom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Durchlassspannung
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 60 V, 120 A, TO-220, IRFB3206PBF
Bestellnr.:
 31S3221
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFB3206PBF
Sofort verfügbar: 282 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 90 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 2,23 € *
1 Stk.
2,2253 €
100 Stk.
1,7493 €
200 Stk.
1,6779 €
800 Stk.
1,5351 €
TO-220
N-Kanal
THT
60 V
120 A
175 °C
-55 °C
3 mΩ
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 30 V, 27 A, PQFN, IRFH8318TRPBF
Bestellnr.:
 31S3256
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFH8318TRPBF
Sofort verfügbar: 3.840 Stk. Ab Hersteller: 12 Wochen **
Gesamtpreis: 6,55 € *
10 Stk.
0,6545 €
50 Stk.
0,5593 €
250 Stk.
0,4879 €
1000 Stk.
0,4403 €
2000 Stk.
0,3927 €
PQFN
N-Kanal
SMD
30 V
27 A
150 °C
-55 °C
4.6 mΩ
3.1 mΩ