max. Spannung
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Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Verlustleistung W (DC)
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Gehäuse
Ausgewählte Filter:
Hersteller: Infineon Technologies   Herstellerserie: IRFB  
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7 Artikel in 8 Varianten
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Artikelbeschreibung
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Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Verlustleistung W (DC)
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Gehäuse
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 60 V, 120 A, TO-220, IRFB3206PBF
Bestellnr.:
 31S3221
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFB3206PBF
Sofort verfügbar: 282 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 100 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 2,23 € *
1 Stk.
2,2253 €
100 Stk.
1,7493 €
200 Stk.
1,6779 €
800 Stk.
1,5351 €
60 V
120 A
3 mΩ
300 W
-55 °C
N-Kanal
THT
175 °C
TO-220