BD681 | STMicroelectronics
Bipolartransistor, NPN, 4 A, 100 V, THT, TO-126, BD681
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Komplementär-Transistor, BD681, STMicroelectronics
Dieses Produkt ist für lineare und schaltende Industrieanlagen geeignet.
Features
- Gute Linearität
- Hohe Frequenz
- Monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-126 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 4 A | |
| Transitfrequenz fTmin | 1 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 40 W | |
| Kollektorstrom | 4 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 750 mA |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
