TIP111G | onsemi

Bipolartransistor, NPN, 2 A, 80 V, THT, TO-220, TIP111G

Bestellnr.: 25S3019
EAN: 4099879029805
HTN:
TIP111G
Herstellerserien: TIP
TIP111G onsemi Bipolar Transistoren
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Transistor, TIP111G, ON Semiconductor

Er wurde für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit entwickelt.

Features

  • Monolithische Konstruktion
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Montage THT
Gehäuse TO-220
Ausführung NPN
Sättigungsspannung 2.5 V
Kollektorstrom 2 A
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 80 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 80 V
Verlustleistung VA (AC) 50 W
Transitfrequenz fTmin 4 MHz
Min Gleichstromverstärkung 500 mA
Nennstrom 2 A
min. Temperatur -65 °C
max. Temperatur 150 °C
Logistik
Merkmal Wert
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Stange mit 50 Stück
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
Elektrogeräte Rücknahme Elektrogeräte Rücknahme
RoHS konform Ja
Substanz Beschreibung Blei
SVHC frei Nein
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15