PBSS4350D,115 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN, 3 A, 50 V, SMD, SOT-457, PBSS4350D,115
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NPN-Transistor, PBSS4350D,115, NEXPERIA
NPN-Transistor mit niedriger VCEsat in einem SOT457 (SC-74) Kunststoffgehäuse.
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Stromfähigkeit
- Verbesserte Zuverlässigkeit der Geräte durch geringere Wärmeentwicklung
- AEC-Q101 qualifiziert
Anwendungen
- Schaltkreise der Versorgungsleitungen
- Anwendungen für das Batteriemanagement
- Batteriebetriebene Schwerlastgeräte
- DC/DC-Wandler-Anwendungen
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Min Gleichstromverstärkung | 200 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 50 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.6 W | |
| Kollektorstrom | 3 A | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 290 mV | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Gehäuse | SOT-457 |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| SVHC frei | Ja |