PBSS4160T,215 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN, 900 mA, 60 V, SMD, SOT-23, PBSS4160T,215
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,0785 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: Auf Anfrage
Gesamtpreis:
235,62 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
3000 Stk.
0,0785 €
NPN-Transistor, PBSS4160T,215, NEXPERIA
NPN-Transistor mit niedriger VCEsat in einem SOT23-Kunststoffgehäuse.
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Kollektorstromfähigkeit
- Hoher Wirkungsgrad, geringere Wärmeentwicklung
- Reduziert die benötigte Fläche der Leiterplatte
Anwendungen
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Industriell
- Automotive 42 V Leistung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung VA (AC) | 0.27 W | |
| Kollektorstrom | 900 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 80 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 60 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Transitfrequenz fTmin | 220 MHz | |
| Nennstrom | 1 A | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Min Gleichstromverstärkung | 250 mA | |
| Ausführung | NPN | |
| Sättigungsspannung | 110 mV | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |