BCV47,215 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN, 500 mA, 60 V, SMD, SOT-23, BCV47,215
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NPN-Transistor, BCV47,215, NEXPERIA
NPN-Darlington-Transistor in einem kleinen oberflächenmontierten SOT23 (TO-236AB)-Kunststoffgehäuse (SMD).
Anwendungen
- Vorverstärker-Eingangsverstärkung
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 80 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 60 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Nennstrom | 500 mA | |
| Sättigungsspannung | 1 V | |
| Transitfrequenz fTmin | 170 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
| Kollektorstrom | 500 mA |
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Logistik
| Ursprungsland | MY |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
