DSEI12-06AS-TRL | Littelfuse
Diode, DSEI12-06AS-TRL
Bestellnr.: 74P1374
EAN: 4099891782399
HTN:
DSEI12-06AS-TRL
Einzelpreis (€ / Stk.)
2,3562 € *
Lagerbestand: 0 Stk.
Lieferzeit ab Hersteller: 28 Wochen **
Gesamtpreis:
2,36 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
800 Stk.
2,3562 €
Erholungsdiode, DSEI12-06AS-TRL, Littelfuse
Epitaxiediode mit schneller Erholung und weicher Rückwärtserholung für niedrige EMI/RFI, niedrigem Leckstrom und Avalanche-Spannung für zuverlässigen Betrieb.
Features
- Planarer passivierter Chip
- Sehr kurze Erholungszeit
- Verbessertes thermisches Verhalten
- Sehr niedriger Irm-Wert
- Sehr weiches Rückstellverhalten
- Niedriger Irm reduziert die Verlustleistung innerhalb der Diode
- Niedriger Irm reduziert Einschaltverluste im Kommutierungsschalter
- Industriestandard-Kontur
- RoHS-konform
- Epoxidharz erfüllt UL 94 V-0
Anwendungen
- Antiparallel-Diode für Hochfrequenz-Schaltgeräte
- Antisaturierungsdiode
- Snubber-Diode
- Freilaufende Diode
- Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS)
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Technische Daten
| Anzahl der Dioden | 1 | |
| Ausführung | Schnelle Erholungs-Epitaxie-diode | |
| Bauform | SMD | |
| Durchlassstrom | 14 A | |
| Gehäuse | TO-263AB | |
| Kapazität | 12 pF | |
| max. Temperatur | 125 °C | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| Montage | SMD | |
| Spannung V RRM (Spitzensperrspannung) | 600 V | |
| Sperrschichttemperatur (max.) | 150 °C | |
| Sperrschichttemperatur (min.) | -40 °C |
Download
Logistik
| Ursprungsland | PH |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
