IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 110 A, TO-263, IRF3205STRLPBF

Bestellnr.: 31S3082
EAN: 4099879033987
HTN:
IRF3205STRLPBF
SP001576758
Herstellerserien: IRF
IRF3205STRLPBF Infineon Technologies MOSFETs
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MOSFETs, IRF3205STRLPBF, Infineon Technologies

Der IRF3205STRLPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Der geringe Wärmewiderstand des TO-220 trägt zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.

Features

  • Fortschrittliche Prozesstechnologie
  • Extrem niedriger Einschaltwiderstand
  • Dynamischer dv/dt-Wert
  • Schnelles Umschalten
  • Lawine bewertet
Technische Daten
Verlustleistung W (DC) 200 W
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 8 mΩ
Montage SMD
Ausführung N-Kanal
min. Temperatur -55 °C
max. Temperatur 175 °C
max. Spannung 55 V
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.46x10<sup>-7</sup> C
max. Strom 110 A
Gehäuse TO-263
Logistik
MSL MSL 1
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 800 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja