BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 55 mA, 2.25 V, SMD, TSFP-4, BFP843FH6327XTSA1
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Bipolartransistor, BFP843FH6327XTSA1, Infineon Technologies
Der BFP843FH6327XTSA1 ist ein sehr rauscharmer bipolarer Breitband-NPN-HF-Transistor. Der Baustein basiert auf einer zuverlässigen Silizium-Germanium-Kohlenstoff (SiGe:C)-Heteroübergangs-Bipolartechnologie mit hohem Volumen.
Features
- Hohe Verstärkung
- Hohe ESD-Robustheit
- Geräuscharm
- Geringer Stromverbrauch
Anwendungen
- As Geräuscharm amplifier (LNA) in Wireless-Kommunikations: WLAN IEEE802.11b,g,n,a,ac single- and dual band Anwendungen, broadband LTE or WiMAX LNA
- Satellitennavigationssysteme und C-Band-LNB für Satelliten
- Breitband-Verstärker: Dualband-WLAN, Multiband-Mobilfunk, UWB bis zu 10 GHz
- Dedizierte Kurzstrecken-Kommunikationssysteme (DSRC): WLAN EEE802.11p
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TSFP-4 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 2.9 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 2.25 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Transitfrequenz fTmin | 1 GHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.125 W | |
| Kollektorstrom | 55 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 450 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 150 mA |
Download
Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
