SICW30C065 | Diotec Semiconductor
Schottky-Diode, 650 V (RRM), TO-3P, TO-247, SICW30C065
Bestellnr.: 09S6186
HTN:
SICW30C065
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Siliziumkarbid Schottky-Diode, SICW30C065, Diotec Semiconductors
Features
- Doppeldiode
- Niedrige kapazitive Ladung
- Extrem schnelles Schalten
- Hohe Sperrspannung
- Hohe Leistungsfähigkeit
Anwendungen
- Gleichrichtung hoher Frequenzen
- Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
- Leistungsfaktorkorrektutr-Dioden
- Freilaufdioden für Umrichter
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Produkt-Art | Siliziumkarbid Schottky-Diode | |
| Gehäuse | TO-3P, TO-247 | |
| Spannung V RRM (Spitzensperrspannung) | 650 V | |
| Stoßspitzensperrspannung V RMS | 650 V | |
| Anzahl der Dioden | 2 | |
| Sperrschichttemperatur (min.) | -50 °C | |
| Sperrschichttemperatur (max.) | 175 °C | |
| Montage | THT | |
| min. Temperatur | -50 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |