DI315N10TL-AQ | Diotec Semiconductor
Diotec Semiconductor N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert MOSFET, 100 V, 315 A, HSOF-8, DI315N10TL-AQ
Bestellnr.: 10S9426
HTN:
DI315N10TL-AQ
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N-Kanal Leistungs-MOSFET, DI315N10TL-AQ, Diotec Semiconductor
Features
- Advanced Trench Technologie
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Elektrowerkzeuge
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert | |
| max. Spannung | 100 V | |
| max. Strom | 315 A | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.4 mΩ | |
| Gehäuse | HSOF-8 | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 0.000000217 C | |
| Verlustleistung W (DC) | 277 W | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |