DI120SIC089D7-AQ | Diotec Semiconductor
Diotec Semiconductor N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert SiC MOSFET, 1200 V, 46 A, TO-263-7, DI120SIC089D7-AQ
Bestellnr.: 10S9434
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DI120SIC089D7-AQ
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Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, DI120SIC089D7-AQ, Diotec Semiconductor
Features
- Trench Technologie
- Zero Turn-off Gate Spannung
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
- 100% Avalanche geprüft
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Ladestation
- Umrichter
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert | |
| max. Spannung | 1200 V | |
| max. Strom | 46 A | |
| Gehäuse | TO-263-7 | |
| Verlustleistung W (DC) | 263 W | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |