DI120SIC050TL | Diotec Semiconductor
Diotec Semiconductor N-Kanal SiC MOSFET, 1200 V, 58 A, TOLL-K, DI120SIC050TL
Bestellnr.: 10S9436
HTN:
DI120SIC050TL
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Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, DI120SIC050TL, Diotec Semiconductor
Features
- SiC Material mit großem Bandabstand
- Große Luft- und Kriechstrecken
- Kelvin-Source für schnelles Schalten und reduzierte Störpegel am Gate
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Avalanche-Charakteristik
Anwendungen
- Gleichstrom-Wandler
- Wechselrichter
- Stromversorgungen
- Gleichstrom-Antriebe
- Elektrowerkzeuge
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Spannung | 1200 V | |
| max. Strom | 58 A | |
| Gehäuse | TOLL-K | |
| Verlustleistung W (DC) | 200 W | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |