ZTX853 | Diodes
Bipolartransistor, NPN, 4 A, 100 V, THT, E-Line, ZTX853
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NPN-Transistor, ZTX853, DIODES
NPN-Silizium-Planartransistor für mittlere Leistung und hohen Strom, E-Line.
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | E-Line | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 200 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | 200 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 130 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1.58 W | |
| Kollektorstrom | 4 A | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 4.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
