BD137-10 | CDIL
Bipolartransistor, NPN, 1.5 A, 60 V, THT, TO-126, BD137-10
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NPN-Transistor, BD137-10, CDIL
Der NPN-Epitaxie-Silizium-Leistungstransistor BD137-10 ist für den Einsatz als Audioverstärker und -treiber konzipiert.
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-126 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 60 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 60 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 15 A | |
| Sättigungsspannung | 500 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 50 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1.25 W | |
| Kollektorstrom | 1.5 A | |
| Max Gleichstromverstärkung | 160 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 63 mA |
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Logistik
| Ursprungsland | IN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
