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MOSFETs

Ausführung
max. Spannung
Einheit:
max. Strom
Einheit:
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einheit:
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Einheit:
Gehäuse
Verlustleistung VA (AC)
Einheit:
Verlustleistung W (DC)
Einheit:
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
342 Artikel in 369 Varianten
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung VA (AC)
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
NEXPERIA N-Kanal Trench MOSFET, 60 V, 300 mA, SOT-23, 2N7002,215
NEXPERIA N-Kanal Trench MOSFET, 60 V, 300 mA, SOT-23, 2N7002,215
Bestellnr.:
 28S6962
Hersteller:
 NEXPERIA
Hersteller-Nr.:
 2N7002,215
Sofort verfügbar: 16.490 Stk. Ab Hersteller: 4 Wochen **
Gesamtpreis: 0,33 € *
1 Stk.
0,3332 €
10 Stk.
0,2047 €
50 Stk.
0,1452 €
250 Stk.
0,1226 €
1000 Stk.
0,1047 €
N-Kanal
60 V
300 mA
2.8 Ω
5 Ω
SOT-23
830 mW
SMD
-65 °C
150 °C
NEXPERIA N-Kanal FET, 60 V, 300 mA, SOT-23, PMBF170,215
NEXPERIA N-Kanal FET, 60 V, 300 mA, SOT-23, PMBF170,215
Bestellnr.:
 26S202
Hersteller:
 NEXPERIA
Hersteller-Nr.:
 PMBF170,215
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: 4 Wochen **
Gesamtpreis: 0,09 € *
3000 Stk.
0,0940 €
N-Kanal
60 V
300 mA
5 Ω
SOT-23
830 mW
SMD
-65 °C
150 °C
COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ31
COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ31
Bestellnr.:
 19S6302
Hersteller:
 COMSET Semiconductors
Hersteller-Nr.:
 BUZ31
Sofort verfügbar: 265 Stk. Ab Hersteller: 6 Wochen **
Gesamtpreis: 2,56 € *
1 Stk.
2,5585 €
10 Stk.
1,8326 €
100 Stk.
1,5708 €
500 Stk.
1,3566 €
1000 Stk.
1,2376 €
N-Kanal
TO-220
95 W
THT
-55 °C
150 °C
International Power Semiconductor N-Kanal Power MOSFET, TO-220, BUZ74A-T
International Power Semiconductor N-Kanal Power MOSFET, TO-220, BUZ74A-T
Bestellnr.:
 19S6789
Hersteller:
 International Power Semiconductor
Hersteller-Nr.:
 BUZ74A-T
Sofort verfügbar: 3 Stk. Ab Hersteller: 14 Wochen **
Gesamtpreis: 2,86 € *
1 Stk.
2,8560 €
10 Stk.
2,5109 €
100 Stk.
2,2134 €
250 Stk.
2,1301 €
1000 Stk.
1,9873 €
N-Kanal
TO-220
40 W
THT
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 57 A, TO-220, IRF3710PBF
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 57 A, TO-220, IRF3710PBF
Bestellnr.:
 31S3090
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF3710PBF
Sofort verfügbar: 35 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 1.160 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche ** Nächste Lieferung: 20 Stk. bestätigt für 21.05.2024
Gesamtpreis: 1,27 € *
1 Stk.
1,2733 €
100 Stk.
1,1305 €
N-Kanal
100 V
57 A
23 mΩ
TO-220
200 W
THT
-55 °C
175 °C
STMicroelectronics N-Kanal PowerMESH MOSFET, 1500 V, 2.5 A, TO-220, STP3N150
STMicroelectronics N-Kanal PowerMESH MOSFET, 1500 V, 2.5 A, TO-220, STP3N150
Bestellnr.:
 30S1122
Hersteller:
 STMicroelectronics
Hersteller-Nr.:
 STP3N150
Sofort verfügbar: 2.855 Stk. Ab Hersteller: 26 Wochen **
Gesamtpreis: 7,15 € *
1 Stk.
7,1519 €
10 Stk.
6,2951 €
100 Stk.
5,5216 €
200 Stk.
5,2955 €
1000 Stk.
4,8790 €
N-Kanal
1500 V
2.5 A
9 Ω
TO-220
63 W
THT
-55 °C
150 °C
Vishay N-Kanal Power MOSFET, 100 V, 28 A, TO-220, IRF540-PBF
Vishay N-Kanal Power MOSFET, 100 V, 28 A, TO-220, IRF540-PBF
Bestellnr.:
 24S3252
Hersteller:
 Vishay
Hersteller-Nr.:
 IRF540-PBF
Sofort verfügbar: 52 Stk. Ab Hersteller: 10 Wochen **
Gesamtpreis: 2,50 € *
1 Stk.
2,4990 €
10 Stk.
1,5589 €
50 Stk.
1,3685 €
250 Stk.
1,1900 €
1000 Stk.
1,0353 €
N-Kanal
100 V
28 A
77 mΩ
TO-220
150 W
THT
-55 °C
175 °C
1
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4
... 18
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
Abbildungen können abweichen