BUZ31 | COMSET Semiconductors
COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ31
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SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en.
N-Kanal-Ausführung.
Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ31, 200 V, 14,5 A, 0,2 Ohm, TO220
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Verlustleistung VA (AC) | 95 W |
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Logistik
| Ursprungsland | MY |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
