Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung VA (AC)
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
343 Artikel in 370 Varianten
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung VA (AC)
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
Diodes N-Kanal Vertical DMOS FET, 200 V, 180 mA, TO-226, ZVNL120A
Bestellnr.:
 26S2942
Hersteller:
 Diodes
Hersteller-Nr.:
 ZVNL120A
Sofort verfügbar: 290 Stk. Ab Hersteller: 10 Wochen **
Gesamtpreis: 0,89 € *
1 Stk.
0,8925 €
10 Stk.
0,6307 €
100 Stk.
0,5474 €
500 Stk.
0,4760 €
1000 Stk.
0,4284 €
N-Kanal
200 V
180 mA
10 Ω
TO-226
700 mW
THT
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 47 A, TO-220, IRLZ44NPBF
Bestellnr.:
 24S3373
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRLZ44NPBF
Sofort verfügbar: 700 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 3.570 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 1,25 € *
1 Stk.
1,2495 €
10 Stk.
0,9044 €
100 Stk.
0,7735 €
500 Stk.
0,6664 €
1000 Stk.
0,6188 €
N-Kanal
55 V
47 A
22 mΩ
TO-220
83 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 120 A, TO-220, IRFB3077PBF
Bestellnr.:
 31S3220
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFB3077PBF
Lagerbestand: 0 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 990 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 3,01 € *
10 Stk.
3,0107 €
100 Stk.
2,6418 €
250 Stk.
2,5466 €
1000 Stk.
2,3681 €
N-Kanal
75 V
120 A
3.3 mΩ
TO-220
370 W
THT
-55 °C
175 °C
Diodes N-Kanal MOSFET, 30 V, 2 A, TO-236, ZXMN3A01FTA
Bestellnr.:
 33S2861
Hersteller:
 Diodes
Hersteller-Nr.:
 ZXMN3A01FTA
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: 10 Wochen **
Gesamtpreis: 0,00 € *
0 Stk.
0,00 €
N-Kanal
30 V
2 A
120 mΩ
TO-236
SMD
-55 °C
150 °C