Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
Ausgewählte Filter:
Hersteller: Infineon Technologies  
Filter zurücksetzen 
104 Artikel in 110 Varianten
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 18 A, TO-220, IRLZ24NPBF
Bestellnr.:
 24S3377
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRLZ24NPBF
Sofort verfügbar: 445 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 1.360 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 2,86 € *
5 Stk.
0,5712 €
150 Stk.
0,4879 €
500 Stk.
0,4403 €
1000 Stk.
0,4165 €
N-Kanal
55 V
18 A
105 mΩ
60 mΩ
TO-220
45 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 80 A, TO-220, IRFB3607PBF
Bestellnr.:
 31S3225
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFB3607PBF
Sofort verfügbar: 110 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 4.350 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 11,90 € *
10 Stk.
1,1900 €
50 Stk.
1,0353 €
656 Stk.
0,8330 €
1312 Stk.
0,7854 €
2624 Stk.
0,7140 €
N-Kanal
75 V
80 A
9 mΩ
TO-220
140 W
THT
-55 °C
175 °C