max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
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Hersteller: Vishay   Herstellerserie: SI  
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Artikelbeschreibung
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Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
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Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 80 V, 60 A, SOIC-8, SIR826ADP-T1-GE3
Bestellnr.:
 24S8210
Hersteller:
 Vishay
Hersteller-Nr.:
 SIR826ADP-T1-GE3
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: Auf Anfrage ** Nächste Lieferung: 3.000 Stk. bestätigt für 21.06.2024
Gesamtpreis: 2,28 € *
1 Stk.
2,2848 €
25 Stk.
1,9516 €
100 Stk.
1,7850 €
250 Stk.
1,7017 €
1000 Stk.
1,5589 €
80 V
60 A
5.5 mΩ
SOIC-8
104 W
N-Kanal
SMD
-55 °C
150 °C
Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 40 A, PowerPAK 1212-8, SIS488DN-T1-GE3
Bestellnr.:
 24S8238
Hersteller:
 Vishay
Hersteller-Nr.:
 SIS488DN-T1-GE3
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: 36 Wochen **
Gesamtpreis: 1,38 € *
1 Stk.
1,3804 €
10 Stk.
1,2852 €
50 Stk.
1,1305 €
250 Stk.
0,9758 €
1000 Stk.
0,8568 €
2500 Stk.
0,7854 €
40 V
40 A
5.5 mΩ
PowerPAK 1212-8
N-Kanal
SMD
-55 °C
150 °C