SIS488DN-T1-GE3 | Vishay

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 40 A, PowerPAK 1212-8, SIS488DN-T1-GE3

Bestellnr.: 24S8238
EAN: 4099879033758
HTN:
SIS488DN-T1-GE3
Herstellerserien: SI
Vishay
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N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si.

Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiS488DN, 40 V, 5,5 mOhm, 40 A, 9,8 nC, PowerPAK 1212-8

Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 5.5 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC) 3.2x10<sup>-8</sup> C
Gehäuse PowerPAK 1212-8
max. Spannung 40 V
max. Strom 40 A
max. Temperatur 150 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage SMD
Logistik
Ursprungsland TW
Zolltarifnummer 85412900
MSL MSL 1
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja