Ausführung
max. Spannung
max. Strom
min. Temperatur
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Montage
max. Temperatur
Ausgewählte Filter:
Hersteller: Infineon Technologies   Herstellerserie: IRFH  
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Ausführung
max. Spannung
max. Strom
min. Temperatur
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Montage
max. Temperatur
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 30 V, 27 A, PQFN, IRFH8318TRPBF
Bestellnr.:
 31S3256
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFH8318TRPBF
Sofort verfügbar: 3.840 Stk. Ab Hersteller: 12 Wochen **
Gesamtpreis: 6,55 € *
10 Stk.
0,6545 €
50 Stk.
0,5593 €
250 Stk.
0,4879 €
1000 Stk.
0,4403 €
2000 Stk.
0,3927 €
N-Kanal
30 V
27 A
-55 °C
3.1 mΩ
PQFN
3.6 W
4.6 mΩ
SMD
150 °C