SUM70030E-GE3 | Vishay
Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 100 V, 150 A, D2PAK, SUM70030E-GE3
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Transistor, SUM70030E-GE3, Vishay
Features
- Maximale 175 °C Sperrschichttemperatur
- Sehr niedrige Qgd reduziert den Leistungsverlust beim Durchgang durch Vplateau
- 100 % Rg und UIS getestet
Technische Daten
Filter | Merkmal | Wert |
---|---|---|
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2.88 mΩ | |
Gehäuse | D2PAK | |
max. Strom | 150 A | |
Verlustleistung W (DC) | 375 W | |
Ausführung | N-Kanal | |
Montage | SMD | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.424x10<sup>-7</sup> C | |
max. Spannung | 100 V | |
max. Temperatur | 175 °C | |
min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
Merkmal | Wert |
---|---|
Originalverpackung | Rolle mit 800 Stück |
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
MSL | MSL 3 |
Compliance
Merkmal | Wert |
---|---|
RoHS konform | Ja |
SVHC frei | Ja |