SUM70030E-GE3 | Vishay
Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 100 V, 150 A, D2PAK, SUM70030E-GE3
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Transistor, SUM70030E-GE3, Vishay
Features
- Maximale 175 °C Sperrschichttemperatur
- Sehr niedrige Qgd reduziert den Leistungsverlust beim Durchgang durch Vplateau
- 100 % Rg und UIS getestet
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 375 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2.88 mΩ | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| max. Spannung | 100 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.424x10<sup>-7</sup> C | |
| max. Strom | 150 A | |
| Gehäuse | D2PAK |
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Logistik
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 800 Stück |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |