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BPW17N | Vishay

Phototransistor Chip Silicon 825nm T-3/4 BPW17N

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Produktbeschreibung

Produkt von Vishay bei Bürklin Elektronik

Fototransistor, BPW17N, Vishay

BPW17N ist ein Silizium-NPN-Fototransistor mit hoher Strahlungsempfindlichkeit in klarem, T-3/4-Plastikgehäuse mit Linse. Er ist empfindlich für sichtbare und nahinfrarote Strahlung. Auf PCB ermöglicht diese Gehäusegröße die Montage von Arrays mit einem Rastermaß von 2,54 mm.

Features

  • NPN-Fototransistor aus bedrahtetem Silizium in klarem T-3/4-Kunststoffgehäuse mit Linse
  • Hohe Lichtempfindlichkeit und hohe Strahlungsempfindlichkeit
  • Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung
Technische Daten
Gehäuse T-3/4
max. Temperatur 100 °C
min. Temperatur -40 °C
Montage THT
Spannung 32 V
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Logistik
Ursprungsland PH
Originalverpackung Bulk mit 1.000 Stück
Compliance
Datum der Richtlinien 31.03.15
RoHS konform Ja
SVHC-Datum 16.01.20
SVHC frei Ja