MJD112T4 | STMicroelectronics

Name: Bipolartransistor, NPN, 2 A, 100 V, SMD, TO-252, MJD112T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 63S4751
Price: 0.33 EUR
Availability: OutOfStock

Bipolartransistor, NPN, 2 A, 100 V, SMD, TO-252, MJD112T4

Bestellnr.: 63S4751

EAN: 4099879031631

HTN:

MJD112T4

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Wichtige Spezifikationen:

Montage SMD

Gehäuse TO-252

Ausführung NPN

Sättigungsspannung 2 V

Kollektorstrom 2 A

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Produktbeschreibung

Komplementär-Transistor, MJD112T4, STMicroelectronics

Dieses Produkt ist für lineare und schaltende Industrieanlagen geeignet.

Features

Gute Linearität
Hohe Frequenz
Monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode

Technische Daten

	Ausführung	NPN
	Gehäuse	TO-252
	max. Temperatur	150 °C
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	100 V
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	100 V
	min. Temperatur	-65 °C
	Montage	SMD
	Sättigungsspannung	2 V
	Transitfrequenz fTmin	25 MHz
	Verlustleistung VA (AC)	20 W
	Kollektorstrom	2 A
	Min Gleichstromverstärkung	1000 mA