MJD112T4 | STMicroelectronics
Bipolartransistor, NPN, 2 A, 100 V, SMD, TO-252, MJD112T4
Bestellnr.: 63S4751
EAN: 4099879031631
HTN:
MJD112T4
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Komplementär-Transistor, MJD112T4, STMicroelectronics
Dieses Produkt ist für lineare und schaltende Industrieanlagen geeignet.
Features
- Gute Linearität
- Hohe Frequenz
- Monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Transitfrequenz fTmin | 25 MHz | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Min Gleichstromverstärkung | 1000 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 20 W | |
| Kollektorstrom | 2 A | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 2 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Gehäuse | TO-252 |
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Logistik
| MSL | MSL 1 |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 5.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |